Vittorio ROMANO

Professore ordinario di FISICA MATEMATICA [MAT/07]
Ufficio: stanza 314 Dipartimento di Matematica e Informatica
Email: romano@dmi.unict.it
Telefono: 095 7383035
Fax: +39 095 330094
Sito web: www.dmi.unict.it/~romano/


Nato a Catania il 13/04/1966 Lingue straniere parlate: inglese. Titoli di studio Laurea in Matematica conseguita il 26/6/1989 presso l'Università di Catania, votazione 110/110 e lode, con tesi su Perturbazioni gauge-invarianti dello spazio tempo, relatore Prof. A.M. Anile. Dottorato di Ricerca in Matematica, titolo conseguito il 20/9/1994 a Roma, con tesi dal titolo Aspetti matematici della fluidodinamica relativistica e applicazioni. Borse di studio: Borsa di ricerca dell'Istituto di Alta Matematica "F. Severi", Roma a.a. 1993-1994; nel 1995 borsa di studio del CNR su problemi matematici in questioni di trasporto nei fluidi. Posizione ricoperta Professore associato s.s.d MAT/07 Fisica-Matematica, Università di Catania, Facoltà di Ingegneria, dal 01/10/2001 ad oggi. Associazioni scientifiche Il prof. Romano è membro del Gruppo Nazionale per la Fisica Matematica del C.N.R. (INDAM) e socio SIMAI. Recensore per il Mathematical Review dal 1998. Referee di riviste internazionali quali J. Computational Physics, Physics Letters A, MECCANICA, SIAM J. Appl. Mathematics, J. Comp. Electronics. Progetti di Ricerca Il prof. Romano è il coordinatore locale del progetto europeo RTN Marie Curie denominato COMSON (COupled Multiscale Simulation and Optimization in Nanoelectronics) finanziato dalla UE nell'ambito del sesto programma quadro (si veda il sito www.comson.org). Gli interessi di ricerca del prof. Romano riguardano i seguenti settori: 1) idrodinamica radiativa; 2) aspetti matematici della fluidodinamica relativistica e applicazioni in astrofisica e cosmologia; 3) onde non lineari; 4) stabilità di onde d'urto; 5) modelli fluidodinamici per il trasporto di cariche nei semiconduttori; 6) metodi gruppali per la ricerca di soluzioni esatte; 7) analisi di stabilità di soluzioni stazionarie in diodi a semiconduttore; 8) metodi numerici alle differenze finite shock-capturing.

Aggiornato al 28 agosto 2018

 

- Titoli di studio

      Laurea in Matematica conseguita il 26/6/1989 presso l'Università di Catania, votazione 110/110 e lode, con tesi su  Perturbazioni gauge-invarianti dello spazio tempo, relatore Prof. A.M. Anile.

     Dottorato  di Ricerca in Matematica, titolo conseguito il 20/9/1994  a Roma, con tesi dal titolo  Aspetti matematici della fluidodinamica relativistica e applicazioni.

 - Borse di studio     

      Borsa di ricerca dell'Istituto di Alta Matematica "F. Severi", Roma a.a. 1993-1994, classificandosi secondo nella graduatoria di merito.

      Nel 1993 premio dell'Accademia Gioenia di Catania, per il settore delle scienze matematiche, per la migliore produzione scientifica tra i  laureati dell'ultimo quadriennio.

      Nel 1995 borsa di studio del CNR su problemi matematici in questioni di trasporto nei  fluidi, classificandosi primo nella graduatoria di merito.
 

-Posizioni ricoperte   
  
Professore Ordinario, s.s.d. Fisica Matematica MAT/07, Università di Catania dal 01/01/2014, Dipartimento di Matematica e Informatica.
Dal 01/01/2011 professore straordinario presso l'Università di Catania, Dipartimento di Matematica e Informatica.
Nel 2010 idoneità a professore ordinario presso il Politecnico di Torino.
Professore associato s.s.d MAT/07 Fisica-Matematica,  Università di Catania, Facoltà di Ingegneria, dal 01/10/2001.
Nel 2001 idoneità a professore di seconda fascia presso la  Facoltà di Scienze dell’Università degli Studi di Cagliari.
Ricercatore universitario s.s.d MAT/07 (Fisica-Matematica), Università di Catania, Facoltà di Ingegneria, dal 01/03/2001 al 30/09/2001.   
Ricercatore universitario s.s.d A03 (Fisica-Matematica), Politecnico di Bari, Facoltà di Ingegneria di Taranto, dal 04/04/1996 al 28/02/2001.
Professore a contratto del corso di  Matematica Generale e Metodi Matematici, Diploma Universitario in Produzioni Vegetali, sede di Caltagirone, Facoltà di Agraria dell'Università di Catania, a.a. 1995/96.
  
-Attività didattica
    
     Ha fatto parte delle Commissioni Didattiche dei Consigli di Area Didattica di Ingegneria per l’Ambiente e il territorio, Meccanica e Telematica ed è stato membro del Collegio Docenti per il Dottorato in Matematica per la Tecnologia e per il Dottorato di matematica per l'Ingegneria dell’Università di Catania. Attualmente è membro del Collegio Docenti per il  Dottorato in Matematica Pura e Applicata, sedi consorziate Catania, Messina, Palermo.

Attualmente è titolare dei corsi seguenti: Metodi Matematici e Statistici per le Applicazioni (s.s.d. Mat/07), laurea magistrale  in Matematica;  Fisica-Matematica (s.s.d. MAT/07), corso di laurea in Ing. Industriale.
    Ha tenuto, nel corso della sua carriera,  svariati corsi per lauree di Ingegneria di primo e secondo livello: Metodi Probabilistici, Statistici e Numerici, laurea magistrale in Ing. Strutturale e Geotecnica; Meccanica Razionale, corso di laurea in Ing. Civile e Ambientale; Metodi Matematici e Statistici 2, corso di laurea specialistica in Ing.Gestionale; Matematica Applicata nel corso di laurea triennale di Ingegneria Telematica; Metodi Matematici e Statistici 1 nel corso di laurea triennale di Ingegneria Gestionale; Analisi Matematica 1 nel corso triennale di Ingegneria Telematica, Metodi Matematici e Statistici nel corso di laurea triennale di Ingegneria Gestionale e di Analisi Matematica 2 nel corso triennale di Ingegneria Meccanica; Meccanica Razionale nel corso di laurea triennale di Ingegneria per l’Ambiente e il Territorio; Metodi Matematici per l’Ingegneria laurea specialistica in Ing. per  l’Ambiente e il Territorio; Sistemi dinamici non lineari, laurea specialistica in Ing. dell'Automazione e Controllo dei Sistemi Complessi;  Metodi e Modelli Matematici per le Applicazioni,  laurea specialistica in Ing.  Geotecnica, Idraulica, Strutture e Trasporti; Metodi Matematici per l'Ingegneria, laurea specialistica in Ing. Meccanica.

-Corsi nell’ambito di dottorati di ricerca e scuole internazionali

Corso estivo di Fisica Matematica del GNFM dal titolo  Charge transport in low dimensional structure, Ravello settembre 2016. 
Corso intensivo su Modeling and simulation of semiconductor electron devices, ERASMUS+ program MODCLIM, Las Palmas, Spain, 2015. 
Corso intensivo per la Scuola Nazionale Dottorandi di Elettrotecnica “Ferdinando Gasparini”  dal titolo "Modellistica  e simulazione di dispositivi a semiconduttore”, Taormina giugno 2012. 
Corso dal titolo “Modeling and simulation of semiconductor electron devices” per il 2011 Intensive Programme in MathNanoSci - When Mathematics Meets Nanosciences,  finanziato dal  EC Erasmus Programme, Università dell'Aquila, giugno 2011. 
Negli a.a. 2006/2007 e 2007/2008 corso di Metodi Statistici per il gli studenti del Dottorato in Matematica per l’Ingegneria e del Dottorato in Matematica per La Tecnologia. 
Nell’a.a. 2005/2006 corso su “Metodi numerici per l’Ingegneria” per gli studenti del Dottorato in Matematica per l’Ingegneria e del Dottorato in Ing. Geotecnica. 
Nell’a.a. 2003/2004 corso sui fondamenti della meccanica dei continui sia per il Dottorato di Ricerca in Ingegneria Geotecnica (sede amministrativa Catania) che per quello in Matematica per la Tecnologia (sede amministrativa Catania) e in Matematica Applicata (sede amministrativa Napoli). 
nell’a.a. 2001/2002 un corso dal titolo Modelli matematici per semiconduttori per il Dottorato di Ricerca in Matematica (sede amministrativa Catania) e un ciclo di lezioni su modelli matematici e simulazione numerica per dispositivi a semiconduttore per il Corso di Perfezionamento in Matematica per la Tecnologia e l’Industria, presso la Scuola Normale Superiore di Pisa.


-Organizzazione di scuole e convegni

Membro del comitato scientifico del convegno INDAM “Multiscale analysis 
for quantum system and applications”, Roma, ottobre 2007.
Membro del comitato scientifico internazionale dello SCEE 
(Scientific Computing in Electrical Engineering)  2008
 Helsinki, SCEE 2010 Tolouse, SCEE 2012 Zurigo, SCEE 2014 Wuppertal, SCee 2016 Strobol. 
Chair della conferenza 24th International Conference on Transport Theory, Taormina settembre 2015.
Chair della conferenza internazionale Advances in Mathematics for Technology 2017, Catania ottobre 2017. 
Chair della conferenza internazionale Scientific Computing in Electrical Engineering 2018, Taormina. 
Direttore delle seguenti scuole internazionali:
1) MOMINE08 (Modeling and optimization in micro and nano-electronics), 
baia Samuele (Ragusa), giugno 2008, 
 (sito http://www.dmi.unict.it/~momine08/).
2) MOMINE09, Cetraro, settembre 2009, (sito http://momine2009.unical.it/).

    
-Associazioni scientifiche

     Il prof. Romano è membro del Gruppo Nazionale per la Fisica Matematica del C.N.R. (INDAM) e socio SIMAI.


-Cariche scientifiche     

   Direttore del Centro Interdipartimentale di Matematica per la Tecnologia A.M. Anile dell'università degli Studi di Catania. 
   Membro del Consiglio Scientifico del Gruppo Nazionale di Fisica Matematica (GNFM) presso
l'Istituto Nazionale di Alta Matematica  (INDAM).

   Referee di riviste internazionali quali Physics Letters A, MECCANICA, SIAM J. Appl. Mathematics,  
J. Computational Physics,  J. Computational Electronics, Quarterly of Applied Mathematics,  J. of Statistical Mechanics: theory and experiment, Communications in Computational Physics, 
ZAMP, COMPEL,  The Royal Society of Edinburgh Proceedings.

-Attività di supervisor

Supervisor del dott. Marcin Zwierz e del dott. Fasih Ud Din durante la fruizione della borsa di studio  Marie Curie nell'ambito del progetto europeo COMSON del sesto programma quadro dell'Unione Europea.  

Supervisor delle seguenti tesi di dottorato
1. Salvatore La Rosa Hydrodynamical Models for Si Semiconductors Based on the Maximum Entropy Principle, Dottorato di Ricerca in Matematica per l'Ingegneria, Università degli studi di Catania, XX ciclo.
2. Nella Rotundo Coupling and thermal effetcs in semiconductor devices, Dottorato in Matematica Applicata all'ingegneria XXIII ciclo, Università degli studi di Catania.
3. Vito Dario Camiola, Subbands model for semiconductors based on the Maximum Entropy Principle, Dottorato in Matematica Applicata XXV ciclo, Università degli Studi di Catania;
4. Angelo Greco,  Optimization of homogeneous emitter and thin-film solar cells, Dottorato in Matematica Applicata XXV ciclo, Università degli Studi di Catania.
5. Marco Coco, Monte Carlo study of charge and phonon transport in graphene, Dottorato in Matematica e Informatica XXX ciclo, sedi consorziate Università di Catania, Messina Palermo.
6. Silvia Licciardi, Umbral Calculus: a different mathematical language, Dottorato in Matematica e Informatica XXX ciclo, sedi consorziate Università di Catania, Messina Palermo (correlatore assieme al prof. Giuseppe Dattoli dell'ENEA).

-Progetti di Ricerca

1) Principal Investigator progetto FIR 2014 Charge Transport in Graphene and Low dimensional Structures: modeling and simulation, Università of Catania. 
2) Responsabile scientifico per il Dipartimento di Matematica e Informatica  del progetto  ENIAC JU, denominato ERG nell'ambito della call ENIAC 2010 su Energy for a green society: from sustainable harvesting to smart distribution. eQUIPMENTS, materials, design solutions and their applications. 
 3) coordinatore locale del progetto europeo RTN Marie Curie denominato  COMSON (COupled Multiscale Simulation and Optimization in Nanoelectronics)  finanziato dalla UE nell'ambito del sesto programma quadro (si veda il sito www.comson.org). Il progetto ha durata quadriennale, ha avuto inizio nell'ottobre del 2005 e vede coinvolte le seguenti sedi:
Bergische Universität Wuppertal (Germany);
"Politehnica" University of Bucharest (Romania);
Università degli Studi della Calabria (Italy);
University of Catania (Italy);
Technische Universiteit Eindhoven (The Netherlands);
Infineon Technologies AG (Germany);
Philips Semiconductors - NXP (The Netherlands);
STMicroelectronics (Italy).
4) Responsabile scientifico locale del progetto internazionale Italia –Germania “Vigoni”, coinvolte l’Università di Catania e quella di Kaiserslautern
5) Responsabile scientifico per il Dipartimento di Matematica e Informatica dell'Università di Catania  del progetto  PON denominato AMBITION POWER, nel settore Energia e Risparmio Energetico “Sviluppo di tecnologie, prodotti e processi per le energie rinnovabili e/o per l’utilizzo razionale dell’energia e/o per l’efficienza energetica”  


-Invitetd speaker in svariate conferenze tra cui:

New Trends in Fluid and Solid Models, Vietri sul Mare, febbraio 2018.
PhHydro 2018, Palermo gennaio 2018;
WIMMIA 2017, Roma;
SEMODAY 20916, Florence, 2016;
THERMOCON 2016, Messina, 2016;
WASCOM 2015, Cetraro, 2015.
JETC 2013, Brescia, luglio 2013;
TTMT, Berlino  dicembre 2011;
IPERME 2011,    Messina  febbraio 2011;
International workshop “Quantum systems and semiconductor devices: 
Analysis, Simulations, Applications,  aprile 2009, Beijing, China;
SEMIC2007, presso l’Università di Wuppertal, febbraio 2007;
NANOQ06,  presso il MOX del Politecnico di Milano, novembre 2006;
SEMIC2006, presso il Politecnico di Vienna, febbraio 2006; 
SEMIC2005, presso il MOX del Politecnico di Milano, febbraio 2005;

 
-Attività scientifica

Gli interessi di ricerca del prof. Romano riguardano i seguenti settori:

modelli matematici  e simulazione di trasporto di cariche nei semiconduttori;
Metodi Monte Carlo e Discontinuous Galerkin FEM per semiconduttori.  
metodi numerici alle differenze finite shock-capturing per sistemi iperbolici e metodi agli elementi finiti per sistemi di tipo energy-transport;
analisi di stabilità di soluzioni stazionarie in diodi a semiconduttore;
 onde non lineari e stabilità di onde d'urto; 
metodi gruppali ed asintotici; 
idrodinamica radiativa aspetti matematici della fluidodinamica relativistica e applicazioni in   astrofisica e     cosmologia.

       Ha stretto collaborazioni con studiosi della Università Autonoma di Barcelona e delle Università di Madrid, Novosibirsk, Kaiserslautern, Cambridge, Graz, Toulouse, Madrid, Wurzburg e del centro di ricerca dell’INRIA di Parigi.

Indice H pari a 19 (fonte SCOPUS).

Capitoli in libri

 

  1. G. Mascali and V. Romano, Heat Generation and Dissipation, chapter 5 of “Handbook of Optoelectronic Device Modeling and Simulation”, Vol. 2, CRC Press (2017) .

  2. G. Alì, M. Culpo, R. Pulch, V. Romano, S. Schöps, PDAE Modeling and Discretization, chapter 2 of “Coupled Multiscale Simulation and Optimization in Nanoelectronics”, Springer (2015).

  3. G. Alì, A. Bartel, M. Gunther, V. Romano, S. Schöps, Simulation of Coupled PDAEs: Dynamic Iteration and Multirate Simulation, chapter 3 of “Coupled Multiscale Simulation and Optimization in Nanoelectronics”, Springer (2015).

  4. A.M. Anile, N. Nikiforakis, V. Romano, G. Russo, Discretization of semiconductor device problems (II), chapter 5 of “Handbook of Numerical Analysis Vol. XIII: special volume Numerical Methods in Electromagnetics”, Elsevier North-Holland (2005).

  5. A. M. Anile, G. Mascali and V. Romano, Recent developments in Hydrodynamical modeling of semiconductors, pagg. 1-54 in “Mathematical problems in semiconductor physics”, A.M. Anile editor, Lecture Notes in Mathematics, Springer (2003).

  6. A.M. Anile and V. Romano, Relativistic radiation hydrodynamics: a covariant theory of flux-limiters, contributo a The Renaissance of General Relativity and Cosmology, edited by G.Ellis, A.Lanza and J.Miller, page 59, Cambridge University Press, (1993).

 

 

 

 

Articoli

 

  1. L. Luca, V. Romano, Comparing linear and nonlinear hydrodynamical models for charge transport in graphene based on the Maximum Entropy Principle, International Journal of Non-Linear Mechanics (2018), 104: 39-58.

  2. L. Luca, V. Romano, Hydrodynamical models for charge transport in graphene based on the

    Maximum Entropy Principle: The case of moments based on energy powers, Atti della Accademia

    Peloritana dei Pericolanti, 96, No. S1, A5 (2018).

  3. A. Patané, A. Santoro, V. Romano, A. La Magna, G. Nicosia, Enhancing quantum efficiency of thin-film silicon solar cells by Pareto optimality (2018), J. Of Global Optimization, 16 March 2018, Pages 1-25.

  4. M. Coco, V. Romano, Simulation of electron-phonon coupling and heating dynamics in suspended monolayer graphene including all the phonon branches, Journal of Heat Transfer (2018), 45 (7): 540-553.

  5. C. R. Drago, V. Romano, Optimal control for semiconductor diode design based on the MEP energy-transport model, J. Theoretical and Computational Transport(2018), 46(6-7): 459-479.

  6. A. Majorana, V. Romano, Numerical solutions of the spatially homogeneous Boltzmann equation for electrons in n-doped graphene on a substrate, J. Theoretical and Computational Transport, (2017) 46(3): 176-185..

  7. G. Mascali, V. Romano, Exploitation of the Maximum Entropy Principle in Mathematical Modeling of Charge Transport in Semiconductors, Entropy (2017,) 19(1), 36; doi:10.3390/e19010036 (open access article).

  8. G. Alì, V. Romano, Existence and uniqueness for a two-temperature energy-transport model for semiconductors, J. Mathematical Analysis and Application (2017), 449: 1248-1264

  9. A. Majorana, G. Mascali, V. Romano, Charge transport and mobility in monolayer graphene, Journal of Mathematics in Industry, DOI 10.1186/s13362-016-0027-3 (2016).

  10. M. Coco, G. Mascali, V. Romano, Monte Carlo analysis of thermal effects in monolayer graphene, J. Computational and Theoretical Transport (2016), 45 (7): 540-543.

  11. M. Coco, V. Romano, A. Majorana, Cross validation of discontinuous Galerkin method and Monte Carlo simulations of charge transport in graphene on substrate, Ricerche Mat. DOI 10.1007/s11587-016-0298-4 (2016).

  12. V. Romano, A. Majorana, M. Coco, DSMC method consistent with the Pauli exclusion principle and

    comparison with deterministic solutions for charge transport in graphene, Journal of Computational Physics (2015) 302: 267-284.

  13. V. D. Camiola, V. Romano, Hydrodynamical Model for Charge Transport in Graphene, J Stat. Phys (2014) 157: 1114–1137.

  14. G. Alì, G. Mascali, V. Romano, R. C. Torcasio, A hydrodynamical model for covalent semiconductors with a generalized dispersion relation, European Journal of Applied Mathematics, European Journal of Applied Mathematics, Available on CJO 2014 doi:10.1017/S0956792514000011 (2014).

  15. V. D. Camiola , V. Romano, 2DEG-3DEG charge transport model for MOSFET based on the Maximum Entropy Principle, SIAM J. Appl. Mathematics (2013) 73 (4): 1439–1459.

  16. G. Stracquadanio, V. Romano, G. Nicosia, Semiconductor device design using the Bimads algorithm, J. Comp. Physics (2013) 242 304-320.

  17. V. D. Camiola, G. Mascali, V. Romano, Simulation of a double-gate MOSFET by a non-parabolic energy-transport model for semiconductors based on the maximum entropy principle, Mathematical and Computer Modelling (2013) 58: 321-343.

  18. G. Alì, G. Mascali, V. Romano, R. C. Torcasio , A Hydrodynamic Model for Covalent Semiconductors with Applications to GaN and SiC, Acta Appl Math (2012) 122 (1): 335-348.

  19. G. Mascali and V. Romano, A non parabolic hydrodynamical subband model for semiconductors based on the maximum entropy principle, Mathematical and Computer Modelling (2012) 55: 1003–1020.

 

  1. V. D. Camiola, G. Mascali, V. Romano, Numerical simulation of a double-gate MOSFET with a subband model for semiconductors based on the maximum entropy principle, Continuum Mechanics and Thermodynamics (2012) 24 (4-6): 417-436.

  2. G. Mascali and V. Romano, A hydrodynamical model for holes in silicon semiconductors: the case of nonparabolic warped bands, Mathematical and Computer Modelling (2011) 53 (1-2): 213-229.

  3. G. Mascali and V. Romano, A hydrodynamical model for holes in silicon semiconductors: the case of parabolic warped bands, COMPEL (2012) 31 (2): 552-582.

  4. V. Romano and A. Rusakov, 2D numerical simulations of an electron-phonon hydrodynamical model based on the maximum entropy principle, Comput. Methods Appl. Mech. Eng. (2010) 199 (41-44): 2741-2751.

  5. V. Romano and M. Zwierz, Electron-phonon hydrodynamical model for semiconductors, Z. Angew. Math. Phys. 61 (2010): 111-1131.

  6. G. Mascali and V. Romano, Hydrodynamic subband model for semiconductors based on the maximum entropy principle, IL NUOVO CIMENTO (2010) 33 C (1): 155-163.

  7. V. Romano and A. Rusakov, Numerical simulation of coupled electron devices and circuits by the MEP hydrodynamical model for semiconductors with crystal heating, IL NUOVO CIMENTO (2010) 33 C (1): 223-230.

  8. S. La Rosa, G. Mascali and V. Romano, Exact maximum entropy closure of the hydrodynamical model for Si semiconductors: the 8-moment case, SIAM J. of Appl. Mathematics (2009) 70 (3): 710–734.

  9. S. La Rosa and V. Romano, Maximum Entropy Principle Hydrodynamical Model for Holes in Silicon Semiconductors: the case of the warped bands, J. Phys. A: Math. Theor. (2008) 41, 215103 .

  10. V. Romano, Quantum corrections to the semiclassical hydrodynamical model of semiconductors based on the maximum entropy principle, J. Math. Physics (2007) 48, 123504 .

  11. V. Romano, M. Torrisi and R. Tracinà, Approximate solutions to the quantum drift-diffusion model of semiconductors, J. Math. Physics (2007) 48, 23501 .

  12. V. Romano, 2D numerical simulation of the MEP energy-transport model with a finite difference scheme, J. Comp. Physics (2007) 221, pag. 439-468.

  13. A.M. Blokhin, R.S. Bushmanov and V. Romano, Nonlinear asymptotic stability of the equilibrium state for the MEP model of charge transport in semiconductors, Nonlinear Analysis (2006) 65 2169-2191 .

  14. A.M. Blokhin, R.S. Bushmanov, A. S. Rudometova and V. Romano, Linear asymptotic stability of the equilibrium state for the 2-D MEP hydrodynamical model of charge transport in semiconductors, Nonlinear Analysis (2006) 65 1018-1038.

  15. A.M. Anile, A. Marrocco, V. Romano, J.M. Sellier, 2D numerical simulation of the MEP energy-transport model with a mixed finite elements scheme, J. Comp. Electronics (2005) 4 231-259.

  16. G. Mascali, V. Romano, J.M. Sellier, MEP parabolic hydrodynamical models for holes in Silicon semiconductors, Il Nuovo Cimento B (2005) 120 197-215.

  17. M. Junk and V. Romano, Maximum entropy moment system of the semiconductor Boltzmann equation using Kane’s dispersion relation, Cont. Mech. Thermodyn. (2005) 17 (3) 247-267.

  18. A.M. Blokhin, A.S. Bushmanova and V. Romano, Global existence for the system of the macroscopic balance equations of charge transport in semiconductors, J. Math. Analys. Appl. (2005) 305: 72-90.

  19. G. Mascali and V. Romano, Si and GaAs mobility derived from a a hydrodynamical model for semiconductors based on the maximum entropy principle, Physica A (2005) 352: 459-476.

  20. G. Mascali and V. Romano, Simulation of Gunn oscillations with a non-parabolic hydrodynamical model based on the maximum entropy principle, COMPEL (2005) 24 (1) 35-54 (2005).

  21. V. Romano and A. Valenti, Exact invariant solutions for a class of energy-transport models of semiconductors in the two dimensional stationary case, Communications in Nonlinear Science and Numerical Simulation (2005) 10: 499-514.

  22. V. Romano, J. M. Sellier, M. Torrisi, Symmetry analysis and exact solutions for the drift-diffusion model of semiconductors, Physica A (2004) 341: 62-72.

  23. A.M. Blokhin, A.S. Bushmanova and V. Romano, Asymptotic stability of the equilibrium state for the hydrodynamicl model of charge transport in semiconductors based on the maximum entropy principle, Int. J. Eng. Science (2004) 42: 915-934.

  24. A.M. Blokhin, R. S. Bushmanov and V. Romano, Asymptotic stability of the equilibrium state for the macroscopic balance equations of charge transport in semiconductors, Computational Technologies (2003) 8 (3) 7-22.

  25. G. Mascali and V. Romano, Hydrodynamical model of charge transport in GaAs based on the maximum entropy principle, Continuum Mechanics and Thermodynamics (2002) 14: 405-423 .

  26. V. Romano and A.Valenti, Symmetry analysis and exact invariant solutions for a class of energy-transport models of semiconductors, J. Phys. A (2002) 35: 1751-1762.

  27. V. Romano, 2D simulation of a silicon MESFET with a nonparabolic hydrodynamical model based on the maximum entropy principle, Journal of Computational Physics (2002) 176: 70-92.

  28. O. Muscato and V. Romano, Simulation of submicron diodes with a non-parabolic hydrodynamical model based on the maximum entropy principle, VLSI-Design (2001) 13 (1-4): 273-279.

  29. V. Romano, Non-parabolic band hydrodynamical model of silicon semiconductors and simulation of electron devices, Mathematical Methods in the Applied Sciences (2001) 24 (7): 439-471.

  30. A.M. Anile and V. Romano, Hydrodynamical modeling of charge transport in semiconductors, MECCANICA (2001) 35: 249-296.

  31. V. Romano and M. Torrisi, Asymptotic waves in the hydrodynamical model of semiconductors based on Extended Thermodynamics, ZAMM (2001) 81 (1): 53-63.

  32. A.M. Blokhin, A.S. Bushmanova and V. Romano, Stability of the equilibrium state for a hydrodynamical model of charge transport in semiconductors, ZAMP (2001) 52: 476-499.

  33. F. Liotta, V. Romano and G. Russo, Central schemes for balance laws of relaxation type, SIAM J. Numerical Analysis (2000) 38 (4): 1337-1356 .

  34. A.M. Anile, O. Muscato and V. Romano, Moment equations with maximum entropy closure for carrier transport in semiconductor devices: validation in bulk silicon, VLSI Design (2000) 10: 335-354 .

  35. V. Romano, Non parabolic band transport in semiconductors: closure of the production terms in the moment equations, Cont. Mechan. Thermodyn. (2000) 12 (1) 31-51.

  36. A.M. Anile, M. Junk, V. Romano and G. Russo, Cross-validation of numerical schemes for extended hydrodynamical models of semiconductors, Mathematical Models and Methods in Applied Sciences (2000) 10: 833-861.

  37. A.M. Anile, V. Romano and G. Russo, Extended Hydrodynamical Model of Carrier Transport in Semiconductors, SIAM J. Appl. Mathematics (2000) 61 (1): 74-101 .

  38. V. Romano and G. Russo, Numerical solutions for hydrodynamical models of semiconductors, Mathematical Models and Methods in Applied Sciences, (2000) 10 (7) 1099-1120.

  39. V. Romano and M. Torrisi, Application of weak equivalence transformations to a drift-diffusion model, J. Phys. A: Math. Gen. (1999) 32: 7953-7963.

  40. A.M. Anile and V. Romano, Non parabolic band transport in semiconductors: closure of the moment equations, Cont. Mechan. Thermodyn. (1999) 11 (5): 307-325 .

  41. S.F. Liotta, V. Romano and G. Russo, Central scheme for systems of balance laws, International Series of Numerical Mathematics, (1999) 130: 651-660 .

  42. A.M. Blokhin, V. Romano and Yu L. Trakhinin, Stability of shock waves in relativistic radiation hydrodynamics, Ann. de l'Inst. H. Poincaré, Physique Théorique (1997) 67: 145-180.

  43. G. Mascali and V. Romano, Maximum entropy principle in relativistic radiation hydrodynamics, Ann. De l'Inst. H. Poincarè, Physique Théorique, (1997) 67 (2): 123-144.

  44. V. Romano and D.K.Palagachev, Existence and uniqueness of asymptotic wave solutions for the hydrodynamical model of semiconductors, Comm. in Appl. Analysis (1997) 1 (1) 61-74.

  45. V. Romano, Shock waves in relativistic radiation hydrodynamics, Supplemento ai Rendiconti del Circolo Matematico di Palermo, (1996) 45: 573.

  46. A.M. Blokhin, V. Romano and Yu L. Trakhinin, Some mathematical properties of radiating gas model obtained with a variable Eddington factor, ZAMP (1996) 47: 639-658.

  47. V. Romano, Asymptotic waves for the hydrodynamical model of semiconductors, Wave Motion (1996) 24: 151-167.

  48. D. Pavòn, J. Triginer and V. Romano, Causal Cosmology, Proceeding of the International Conference Encuentros Relativistas Espagnoles 94, Menorca september 1994.

  49. V. Romano and D. Pavòn, Dissipative effects in Bianchi type-III cosmologies, Physical Review D (1994) 50 (4): 2572-2580 .

  50. A. Bonanno and V. Romano, A flux-limited gauge-invariant approach to cosmological perturbations,

    Physical Review D (1994) 49 (12): 6450-6459.

  51. G. Alì and V. Romano, Jump conditions for a radiating relativistic gas, Journal of Mathematical Physics (1994) 35 (6): 2878-2901.

  52. A. Bonanno and V. Romano, Covariant flux-limited diffusion theory in Bianchi cosmologies, Journal of Mathematical Physics (1994) 35 (2): 885-898.

  53. V. Romano and D. Pavòn, Causal dissipative Bianchi cosmology, Physical Review D (1993) 47 (4): 1396-1403.

  54. A. Bonanno and V. Romano, Covariant flux-limited diffusion theory for anisotropic source term, Astrophysical Journal (1993) 404 (1): 264-267.

  55. A. M.Anile and V. Romano, Covariant flux-limited diffusion theories, Astrophysical Journal (1992) 386: 325.

 

 

 

 

Proceedings

 

  1. M. Coco, A. Majorana, G. Mascali, V. Romano, Comparing kinetic and hydrodynamical models for electron transport in monolayer graphene, VI International Conference on Computational Methods for Coupled Problems in Science and Engineering, (2015).

  2. G. Mascali, V. Romano, A comprehensive hydrodynamical model for charge transport in graphene, IWCE 2014, Paris (2014), IEEE proceedings.

  3. G. Mascali and V. Romano, A macroscopic model for electron transport in silicon using analytical description for both the electron bands and phonon dispersion relations, AIP Conference proceedings, Vol. 1558, pag. 1200-1203 (2013).

  4. V. D. Camiola and V. Romano, Simulation of charge transport in graphene nano-ribbons with a model based on MEP, AIP Conference proceedings, Vol. 1558, pag. 1204-1207 (2013).

  5. V. D. Camiola and V. Romano, Mathematical Structure of the transport equations for coupled “2D-3D electron gasses in a MOSFET, V International Conference on Computational Methods for Coupled Problems in Science and Engineering, S. Idelsohn et al editors (2013).

  6. V. Romano and C. Scordia, Simulations of an electron-phonon hydrodynamical model based on the maximum entropy principle, pag. 289-296, in “Scientific Computing in Electrical Engineering SCEE 2008”, J. Roos et al editors (2010).

  7. S. La Rosa, G. Mascali and V. Romano, Nonlinear models for silicon semiconductors, pag. 429-436, in “Scientific Computing in Electrical Engineering SCEE 2008”, J. Roos et al editors (2010).

  8. V. D. Camiola and V. Romano, Quantum BGK model for electron transport in semiconductors, in “Proceedings WASCOM 2009” pag. 52-56, A. M. Greco et al editors, World Scientific (2010).

  9. G. Stracquadanio, C. Drago, G. Nicosia, V. Romano, Doping profile optimization in semiconductor design, in “The 16th IEEE Int. Conf. on Electronics, Circuits and Systems”(ICECS 2009), 13-16 December 2009, Hammamet, Tunisie. IEEE Press.

  10. A. Majorana and V. Romano, Comparing kinetic and MEP model of charge transport in semiconductors, in “Progress in Industrial Mathematics at ECMI 2006” pag. 525-530, L. Bonilla et al editors, Springer (2008).

  11. S. La Rosa, V. Romano and G. Mascali, Nonlinear Closure Relations: A Case from Semiconductors, in “Proceedings WASCOM 2007” pag. 366-371, N. Manganaro et al. editors, World Scientific (2008).

  12. V. Romano and M. Ruggieri, Nonlinear wave propagation in an elastic soil, in “Proceedings WASCOM 2007” pag. 502-507, N. Manganaro et al. editors, World Scientific (2008).

  13. V. Romano and M. Zwierz, Modeling the Heating of Semiconductor Crystal Lattice Based on the Maximum Entropy Principle, in “Proceedings WASCOM 2007” pag. 508-513, N. Manganaro et al. Editors, World Scientific (2008).

  14. G. Mascali and V. Romano, Nonlinear Exact Closure for the Hydrodynamical Model of Semiconductors based on the Maximum Entropy Principle, in “APPLIED AND INDUSTRIAL MATHEMATICS IN ITALY II” pag. 444-455, V. Cutello et al editors, World Scientific (2007).

  15. R. Beneduci, G. Mascali and V. Romano, Extended Hydrodynamical Models of Charge Transport in Si, pag. 357-363, in “Scientific Computing in Electrical Engineering, SCEE 2006”, G. Ciuprina and D. Ioan editors, Springer (2007).

  16. V. Romano, J. M. Sellier and M. Torrisi, Exact solutions for the drift-diffusion model of semiconductors via Lie symmetry analysis, in “MATHEMATICS IN INDUSTRY: Scientific Computing in Electrical Engineering” pag. 383-388, A.M. Anile et al editors, Springer (2006).

  17. G. Mascali, V. Romano and J. M. Sellier, Hole mobility in Silicon semiconductor, in “MATHEMATICS IN INDUSTRY: Scientific Computing in Electrical Engineering” pag. 363-368, A.M. Anile et al editors, Springer (2006).

  18. A.M. Anile, A. Marrocco, V. Romano, J.M. Sellier, Mixed finite element numerical simulation of a 2D Silicon MOSFET with the non-parabolic MEP energy-transport model, in “MATHEMATICS IN INDUSTRY: Scientific Computing in Electrical Engineering” pag. 277-282, A.M. Anile et al editors, Springer (2006).

  19. G. Mascali, V. Romano and J.M. Sellier, Gunn Oscillations described by the MEP Hydrodynamical Model of Semiconductors, in “Device applications of nonlinear dynamics” pag. 223-228, S. Baglio and Adi Busara editors, Springer(2006).

  20. V. Romano, M. Torrisi, R. Tracinà, Symmetry analysis for the quantum drift-diffusion model of semiconductors, in “Proceedings WASCOM 2005” pag. 475-480, R. Monaco et al editors, Word Scientific (2006).

  21. S.La Rosa, V. Romano, An Euler-Poisson model based on MEP for holes in semiconductors, in“Proceedings WASCOM 2005” pag. 316-321, R. Monaco et al. editors, World Scientific (2006).

  22. A.M. Blokhin, R.S. Bushmanov and V. Romano, Asymptotic stability of the solutions of the hydrodynamical model of semiconductors based on the maximum entropy principle: the case of bulk silicon, in “APPLIED AND INDUSTRIAL MATHEMATICS IN ITALY” pag. 155-166, M. Primicerio et al editors, World Scientific (2005).

  23. M. Junk and V. Romano, Exact closure relations for the maximum entropy moment system in semiconductors using Kane’s dispersion relation, in “Progress in Industrial Mathematics at ECMI 2004” pag. 184-188, A. Di Bucchianico, R. M. M. Mattheij, M. A. Peletier editors, Springer 2005.

  24. V. Romano and A. Valenti, On group analysis of a class of energy-transport models of semiconductors in the two dimensional case, in “Proceedings WASCOM 2003”, pag. 434-440, R. Monaco, S. Pennisi, S. Rionero, T. Ruggeri editors, World Scientific 2004.

  25. V. Romano, Mobility for silicon semiconductor derived from the hydrodynamical model based on the maximum entropy principle, pag. 153-157 in “Progress in Industrial Mathematics at ECMI 2002”, A. Buikis R. Ciegis , A. D. Fitt editors, Springer 2004.

  26. A. M. Anile, G. Mascali and V. Romano, Hydrodynamical model for GaAs semiconductors based on the maximum entropy principle with application to electronic devices, pagg. 315 in “Modeling, Simulation and Optimization of integrated Circuits”, Int. Series of Numerical Mathematics vol. 146, K. Antreich, R. Bulirsch, A. Gilg and P. Rentrop editors (2003).

  27. V. Romano and A. Valenti, Symmetry classification for a class of energy-transport models, in “Proceedings WASCOM 2001”, pag. 477-483 , R. Monaco. M. P. Bianchi, S. Rionero editors, World Scientific 2002.

  28. A.M. Blokhin, A.S. Bushmanova and V. Romano, Electron flow stability in bulk silicon in the limit of small electric field, in “Proceedings WASCOM 2001”, pag. 55- 61, R. Monaco. M. P. Bianchi, S. Rionero editors, World Scientific 2002.

  29. V. Romano, Energy transport model for silicon semiconductors derived from the non parabolic band hydrodynamical model based on the maximum entropy principle, in “Progress in Industrial Mathematics at ECMI 2000” pag. 246-251, A.N. Anile, V. Capasso, A. Greco editors, Springer 2002.

  30. A.M. Anile and V. Romano, Numerical investigation of shock wave in a radiating gas described by a variable Eddington factor, in “Continuum Mechanics and Applications in Geophysics and the Enviroment”, B. Straughan, R. Greve, H. Ehrentraut, Y. Wang editors, Springer (2001).

  31. V. Romano, Maximum entropy principle for electron transport in semiconductors, in “Proceedings WASCOM 1999”, V. Cianco et al editors, World Scientific (2001).

  32. V. Romano and M. Torrisi, Symmetries for a drift-diffusion system via weak equivalence transformations in "Modern Group Analysis VII", page 275, MARS Publishers, N.Ibragimov et al editors, Trondheim (Norway), 1999.

  33. Romano and G. Russo, Hyperbolicity condition for the hydrodynamical model of charge transport in semiconductors based on Extended Thermodynamics, Supplemento ai Rendiconti del Circolo Matematico di Palermo serie II, 57 433-438 (1998).

  34. A.M. Anile, V. Romano and G. Russo, Hyperbolic Hydrodynamical Model of Carrier Transport in Semiconductors, proceedings IWCE-97, Notre-Dame (USA), in VLSI Design, 8 Nos.(1-4) 521-525 (1998).

  35. A.M. Anile, G. Alì and V. Romano, Relativistic dissipative fluids, contributo a Physics on Manifolds, edited by M.Flato, R.Kerner and A.Lichnerowicz, page 1, Kluwer Academic Publisher, 1994.

  36. V. Romano and G. Alì, Shock Structure for a radiating gas, "7-th Conference on Wave and Stability in Continuous Media", S.Rionero and T.Ruggeri editors, World Scientific, 1994.

  37. V. Romano, Covariant flux-limited diffusion theory, Le Matematiche, Vol. XLVI fasc. 1, 361 (1991


Insegnamenti tenuti presso altri dipartimenti

  • DIPARTIMENTO DI INGEGNERIA CIVILE E ARCHITETTURA (DICAR)
    A.A. 2015/2016 - Corso di laurea magistrale in Ingegneria civile strutturale e geotecnica - 1 anno
    METODI PROBABILISTICI, STATISTICI E NUMERICI

  • DIPARTIMENTO DI INGEGNERIA ELETTRICA ELETTRONICA E INFORMATICA
    A.A. 2018/2019 - Corso di laurea in Ingegneria industriale - 2 anno
    FISICA MATEMATICA M - Z

  • DIPARTIMENTO DI INGEGNERIA ELETTRICA ELETTRONICA E INFORMATICA
    A.A. 2017/2018 - Corso di laurea in Ingegneria industriale - 2 anno
    FISICA MATEMATICA M - Z

  • DIPARTIMENTO DI INGEGNERIA ELETTRICA ELETTRONICA E INFORMATICA
    A.A. 2016/2017 - Corso di laurea in Ingegneria industriale - 2 anno
    FISICA MATEMATICA M - Z

  • DIPARTIMENTO DI INGEGNERIA INDUSTRIALE
    A.A. 2015/2016 - Corso di laurea in Ingegneria industriale - 2 anno
    FISICA MATEMATICA M - Z

-Attività scientifica

Gli interessi di ricerca del prof. Romano riguardano i seguenti settori:

modelli matematici  e simulazione di trasporto di cariche nei semiconduttori;
Metodi Monte Carlo e Discontinuous Galerkin FEM per semiconduttori.  
metodi numerici alle differenze finite shock-capturing per sistemi iperbolici e metodi agli elementi finiti per sistemi di tipo energy-transport;
analisi di stabilità di soluzioni stazionarie in diodi a semiconduttore;
 onde non lineari e stabilità di onde d'urto; 
metodi gruppali ed asintotici; 
idrodinamica radiativa aspetti matematici della fluidodinamica relativistica e applicazioni in   astrofisica e     cosmologia.

       Ha stretto collaborazioni con studiosi della Università Autonoma di Barcelona e delle Università di Madrid, Novosibirsk, Kaiserslautern, Cambridge, Graz, Toulouse, Madrid, Wurzburg e del centro di ricerca dell’INRIA di Parigi.

Indice H pari a 19 (fonte SCOPUS, agosto 2018).

-Attività didattica
    
     Ha fatto parte delle Commissioni Didattiche dei Consigli di Area Didattica di Ingegneria per l’Ambiente e il territorio, Meccanica e Telematica ed è stato membro del Collegio Docenti per il Dottorato in Matematica per la Tecnologia e per il Dottorato di matematica per l'Ingegneria dell’Università di Catania. Attualmente è membro del Collegio Docenti per il  Dottorato in Matematica Pura e Applicata, sedi consorziate Catania, Messina, Palermo.

Attualmente è titolare dei corsi seguenti: Metodi Matematici e Statistici per le Applicazioni (s.s.d. Mat/07), laurea magistrale  in Matematica;  Fisica-Matematica (s.s.d. MAT/07), corso di laurea in Ing. Industriale.
    Ha tenuto, nel corso della sua carriera,  svariati corsi per lauree di Ingegneria di primo e secondo livello: Metodi Probabilistici, Statistici e Numerici, laurea magistrale in Ing. Strutturale e Geotecnica; Meccanica Razionale, corso di laurea in Ing. Civile e Ambientale; Metodi Matematici e Statistici 2, corso di laurea specialistica in Ing.Gestionale; Matematica Applicata nel corso di laurea triennale di Ingegneria Telematica; Metodi Matematici e Statistici 1 nel corso di laurea triennale di Ingegneria Gestionale; Analisi Matematica 1 nel corso triennale di Ingegneria Telematica, Metodi Matematici e Statistici nel corso di laurea triennale di Ingegneria Gestionale e di Analisi Matematica 2 nel corso triennale di Ingegneria Meccanica; Meccanica Razionale nel corso di laurea triennale di Ingegneria per l’Ambiente e il Territorio; Metodi Matematici per l’Ingegneria laurea specialistica in Ing. per  l’Ambiente e il Territorio; Sistemi dinamici non lineari, laurea specialistica in Ing. dell'Automazione e Controllo dei Sistemi Complessi;  Metodi e Modelli Matematici per le Applicazioni,  laurea specialistica in Ing.  Geotecnica, Idraulica, Strutture e Trasporti; Metodi Matematici per l'Ingegneria, laurea specialistica in Ing. Meccanica.

-Corsi nell’ambito di dottorati di ricerca e scuole internazionali

Corso estivo di Fisica Matematica del GNFM dal titolo  Charge transport in low dimensional structure, Ravello settembre 2016. 
Corso intensivo su Modeling and simulation of semiconductor electron devices, ERASMUS+ program MODCLIM, Las Palmas, Spain, 2015. 
Corso intensivo per la Scuola Nazionale Dottorandi di Elettrotecnica “Ferdinando Gasparini”  dal titolo "Modellistica  e simulazione di dispositivi a semiconduttore”, Taormina giugno 2012. 
Corso dal titolo “Modeling and simulation of semiconductor electron devices” per il 2011 Intensive Programme in MathNanoSci - When Mathematics Meets Nanosciences,  finanziato dal  EC Erasmus Programme, Università dell'Aquila, giugno 2011. 
Negli a.a. 2006/2007 e 2007/2008 corso di Metodi Statistici per il gli studenti del Dottorato in Matematica per l’Ingegneria e del Dottorato in Matematica per La Tecnologia. 
Nell’a.a. 2005/2006 corso su “Metodi numerici per l’Ingegneria” per gli studenti del Dottorato in Matematica per l’Ingegneria e del Dottorato in Ing. Geotecnica. 
Nell’a.a. 2003/2004 corso sui fondamenti della meccanica dei continui sia per il Dottorato di Ricerca in Ingegneria Geotecnica (sede amministrativa Catania) che per quello in Matematica per la Tecnologia (sede amministrativa Catania) e in Matematica Applicata (sede amministrativa Napoli). 
nell’a.a. 2001/2002 un corso dal titolo Modelli matematici per semiconduttori per il Dottorato di Ricerca in Matematica (sede amministrativa Catania) e un ciclo di lezioni su modelli matematici e simulazione numerica per dispositivi a semiconduttore per il Corso di Perfezionamento in Matematica per la Tecnologia e l’Industria, presso la Scuola Normale Superiore di Pisa.


-Organizzazione di scuole e convegni

Membro del comitato scientifico del convegno INDAM “Multiscale analysis 
for quantum system and applications”, Roma, ottobre 2007.
Membro del comitato scientifico internazionale dello SCEE 
(Scientific Computing in Electrical Engineering)  2008
 Helsinki, SCEE 2010 Tolouse, SCEE 2012 Zurigo, SCEE 2014 Wuppertal, SCee 2016 Strobol. 
Chair della conferenza 24th International Conference on Transport Theory, Taormina settembre 2015.
Chair della conferenza internazionale Advances in Mathematics for Technology 2017, Catania ottobre 2017. 
Chair della conferenza internazionale Scientific Computing in Electrical Engineering 2018, Taormina. 
Direttore delle seguenti scuole internazionali:
1) MOMINE08 (Modeling and optimization in micro and nano-electronics), 
baia Samuele (Ragusa), giugno 2008, 
 (sito http://www.dmi.unict.it/~momine08/).
2) MOMINE09, Cetraro, settembre 2009, (sito http://momine2009.unical.it/).

    
-Associazioni scientifiche

     Il prof. Romano è membro del Gruppo Nazionale per la Fisica Matematica del C.N.R. (INDAM) e socio SIMAI.


-Cariche scientifiche     

   Direttore del Centro Interdipartimentale di Matematica per la Tecnologia A.M. Anile dell'università degli Studi di Catania. 
   Membro del Consiglio Scientifico del Gruppo Nazionale di Fisica Matematica (GNFM) presso
l'Istituto Nazionale di Alta Matematica  (INDAM).

   Referee di riviste internazionali quali Physics Letters A, MECCANICA, SIAM J. Appl. Mathematics,  
J. Computational Physics,  J. Computational Electronics, Quarterly of Applied Mathematics,  J. of Statistical Mechanics: theory and experiment, Communications in Computational Physics, 
ZAMP, COMPEL,  The Royal Society of Edinburgh Proceedings.

-Attività di supervisor

Supervisor del dott. Marcin Zwierz e del dott. Fasih Ud Din durante la fruizione della borsa di studio  Marie Curie nell'ambito del progetto europeo COMSON del sesto programma quadro dell'Unione Europea.  

Supervisor delle seguenti tesi di dottorato
1. Salvatore La Rosa Hydrodynamical Models for Si Semiconductors Based on the Maximum Entropy Principle, Dottorato di Ricerca in Matematica per l'Ingegneria, Università degli studi di Catania, XX ciclo.
2. Nella Rotundo Coupling and thermal effetcs in semiconductor devices, Dottorato in Matematica Applicata all'ingegneria XXIII ciclo, Università degli studi di Catania.
3. Vito Dario Camiola, Subbands model for semiconductors based on the Maximum Entropy Principle, Dottorato in Matematica Applicata XXV ciclo, Università degli Studi di Catania;
4. Angelo Greco,  Optimization of homogeneous emitter and thin-film solar cells, Dottorato in Matematica Applicata XXV ciclo, Università degli Studi di Catania.
5. Marco Coco, Monte Carlo study of charge and phonon transport in graphene, Dottorato in Matematica e Informatica XXX ciclo, sedi consorziate Università di Catania, Messina Palermo.
6. Silvia Licciardi, Umbral Calculus: a different mathematical language, Dottorato in Matematica e Informatica XXX ciclo, sedi consorziate Università di Catania, Messina Palermo (correlatore assieme al prof. Giuseppe Dattoli dell'ENEA).

-Progetti di Ricerca

1) Principal Investigator progetto FIR 2014 Charge Transport in Graphene and Low dimensional Structures: modeling and simulation, Università of Catania. 
2) Responsabile scientifico per il Dipartimento di Matematica e Informatica  del progetto  ENIAC JU, denominato ERG nell'ambito della call ENIAC 2010 su Energy for a green society: from sustainable harvesting to smart distribution. eQUIPMENTS, materials, design solutions and their applications. 
 3) coordinatore locale del progetto europeo RTN Marie Curie denominato  COMSON (COupled Multiscale Simulation and Optimization in Nanoelectronics)  finanziato dalla UE nell'ambito del sesto programma quadro (si veda il sito www.comson.org). Il progetto ha durata quadriennale, ha avuto inizio nell'ottobre del 2005 e vede coinvolte le seguenti sedi:
Bergische Universität Wuppertal (Germany);
"Politehnica" University of Bucharest (Romania);
Università degli Studi della Calabria (Italy);
University of Catania (Italy);
Technische Universiteit Eindhoven (The Netherlands);
Infineon Technologies AG (Germany);
Philips Semiconductors - NXP (The Netherlands);
STMicroelectronics (Italy).
4) Responsabile scientifico locale del progetto internazionale Italia –Germania “Vigoni”, coinvolte l’Università di Catania e quella di Kaiserslautern
5) Responsabile scientifico per il Dipartimento di Matematica e Informatica dell'Università di Catania  del progetto  PON denominato AMBITION POWER, nel settore Energia e Risparmio Energetico “Sviluppo di tecnologie, prodotti e processi per le energie rinnovabili e/o per l’utilizzo razionale dell’energia e/o per l’efficienza energetica”  


-Invitetd speaker in svariate conferenze tra cui:

New Trends in Fluid and Solid Models, Vietri sul Mare, febbraio 2018.
PhHydro 2018, Palermo gennaio 2018;
WIMMIA 2017, Roma;
SEMODAY 20916, Florence, 2016;
THERMOCON 2016, Messina, 2016;
WASCOM 2015, Cetraro, 2015.
JETC 2013, Brescia, luglio 2013;
TTMT, Berlino  dicembre 2011;
IPERME 2011,    Messina  febbraio 2011;
International workshop “Quantum systems and semiconductor devices: 
Analysis, Simulations, Applications,  aprile 2009, Beijing, China;
SEMIC2007, presso l’Università di Wuppertal, febbraio 2007;
NANOQ06,  presso il MOX del Politecnico di Milano, novembre 2006;
SEMIC2006, presso il Politecnico di Vienna, febbraio 2006; 
SEMIC2005, presso il MOX del Politecnico di Milano, febbraio 2005;